MO7 Mosfet 4N60

  Tải về datasheet 4N60

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng: 600V.

        Điện áp V_GS = +/-30V

        Dòng chịu đựng trung bình: 4A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 106W

      Mosfet 4N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.

      Mosfet 4N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 4N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

Sơ đồ chân Mosfet 4N60

Mosfet 4N60

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!