MO12 Mosfet 20N60

Tải về datasheet IRF 20N60

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng là 600V.

        Điện áp V_GS = +/-20V

        Dòng chịu đựng trung bình là 20A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 370W

      Mosfet 20N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247

      Mosfet 20N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 20N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.

 Mosfet IRF 20N60

      Mosfet 20N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

       Mosfet 20N60 thích hợp trong các mạch điều khiển động cơ, UPS, hoạt động như một khóa đóng mở.

Mosfet IRF 20N60

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!