MO10 Mosfet K2611

Tải về datasheet K2611

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng: 900V.

        Điện áp V_GS = +/-30V

        Dòng chịu đựng trung bình: 11A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 300W

      Mosfet IRF K2611  là mosfet kênh N hay mosfet ngược.

      Mosfet IRF K2611 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet IRF K2611 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

 Sơ đồ chân và kích thước Mosfet K2611

       Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF K2611 có công suất lên tới là 300W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

       Mosfet IRF K2611 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.

Mosfet K2611

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!