MO3 Mosfet IRF840

Tải về datasheet IRF 840

    Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng là 500V.

        Điện áp V_GS = +/-20V

        Dòng chịu đựng trung bình là 8A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 125W

      Mosfet IRF840 là mosfet kênh N hay mosfet ngược

      Mosfet IRF840 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF840 có công suất là 125W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

Sơ đồ chân Mosfet IRF840

                             G: Gate gọi là cực cổng

                             D: Drain gọi là cực máng

                             S: Source gọi là cực nguồn

      Mosfet IRF840 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

       Mosfet IRF840 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.

Mosfet IRF840

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!