IGBT8 IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM

Tính năng sản phẩm:

- Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor  thông thường mà ta đã biết.

- Nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu

- H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247 là linh kiện điện tử bán dẫn công suất 3 cực, Là một trong những transistor kích xung điều khiển rất quan trọng sử dụng trong bếp từ. Nhờ vào cấu tạo đặc biệt giúp H25R1203 có khả năng đóng cắt nhanh như một Mosfet, vừa có công suất chịu tải lớn như một transistor thường.

- H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247 được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn mạch công suất bếp từ  Midea, Sunhouse, Toshiba, Panasonic, Goldsun, bếp hồng ngoại, máy hàn điện, hàn chì, máy hàn sắt, thép, inox. 

- Kiểm tra datasheet của sản phẩm: tại đây

Thông số kỹ thuật:

- Điện áp cực đại VCE = 1200V

- Dòng điện cực đại IC: 40A (ở nhiệt độ 25ºV) 25A (ở nhiệt độ 100ºC)

- Dải nhiệt độ hoạt động: -40ºC~175ºC

- VGE = 25V

- Thời gian trễ: 359ns

- Công suất: 310W

- Kiểu chân cắm: T0-247

- Khối lượng: 10g

 IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM

 IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM

KÍCH THƯỚC VÀ SƠ ĐỒ CHÂN IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!