TR8 Transistor 2N5551

        Tải về datasheet 2N5551

     Thông số kỹ thuật:

           Model: NPN – TO92

           Điên áp cực đại:  V_CBO = 160V

                                     V_CEO = 180V

                                     V_EBO = 6V

           Dòng điện cực đại: I_C =  600mA

           Nhiệt độ làm việc: -55^oC ~ 150^oC

       Transistor 2N5551 có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn  ghép với nhau thành 2 mối nối P-N, thuộc loại transistor nghịch NPN. Transistor 2N5551 được sản xuất theo chuẩn TO92, thứ tự các chân từ trái qua phải: E B C.

 Transistor 2N5551

        Transistor 2N5551 có điện áp giới hạn lên tới Uce = 160V, dòng điện giới hạn của Transistor 2N5551 Ic = 600mA.  Hệ số khuếch đại hFE của Transistor 2N5551 trong khoảng 50 đến 250.

         Transistor 2N5551 có thể hoạt động ở dải nhiệt độ từ -55^oC ~ 150^oC. Transistor 2N5551là một transistor công suất 625mW, tuy nhiên tần số làm việc cao. Transistor 2N5401 được sử dụng rỗng rãi trong việc thiết kế mạch khuếch đại cơ bản.

Transistor 2N5551

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!